10月13日，上海交通大学密西根学院第一届单原子电子学国际研讨会在龙宾楼中集报告厅举行。来自美国普渡大学、日本静冈大学、法国LAAS-CNRS实验室、法国艾克斯-马赛(Aix-Marseille)大学和国内多所顶尖高校与研究所的90多名学者和研究人员出席研讨会，会议由交大密西根学院但亚平教授主持。
交大密西根学院黄佩森院长致欢迎辞并向各位来宾介绍了密西根学院的办学特色和发展状况。
普渡大学的 Gerhard Klimeck教授做了题为“The Single-Atom Transistor: How it was Created and What it may Mean for the Future”的报告，介绍了纳米电子器件的建模方法与软件。
中科院物理所的张建军教授做了关于硅片上可控锗hut wire生长及其应用的报告。
LAAS-CNRS实验室的Filadelfo Cristiano教授做了关于纳秒激光退火IV族半导体中缺陷以及杂质激活的报告，报告介绍了该领域近些年的研究进展以及Cristiano教授小组近些年的研究成果。
西南交通大学的陈磊教授做了关于通过机械-化学反应实现单原子层去除的硅表面超精细纳米加工的报告。
静冈大学的Daniel Moraru教授介绍了硅纳米器件中通过掺杂元素进行单电子隧穿的研究工作。
哈尔滨工业大学的李哲教授做了基于扫描隧道显微镜的嵌入磁原子研究工作的报告。
华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室的武愕教授报告了其关于飞秒激光辐射在钻石中产生单个缺陷中心的研究。
法国艾克斯-马赛大学大学的Mesli教授介绍了IV族半导体点缺陷领域近60年来的研究状况以及目前存在的问题。
最后，但亚平教授做了关于面向大规模集成的单原子掺杂方法的报告。单原子电子学是集成电路发展的最终趋势，是未来固态量子计算的基础。单原子电子学相关研究在国内仍然处于萌芽期，在国际上处于瓶颈期，此次单原子电子学国际研讨会的召开将极大推动相关领域的研究进展。
研讨会受邀嘉宾合影留念